| 描述 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR2 |
| 存储容量 | 512Mb | 存储器组织 | 32M x 16 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 400 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | 访问时间 | 400 ps |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.9V | 工作温度 | -40°C ~ 95°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 84-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 84-FBGA（8x12.5） |
【Micron Technology Inc】MT47H32M16HR-25E IT:G,IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84FBGA
【Micron Technology Inc】MT47H32M16HR-25E IT:G TR,IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84FBGA
【Micron Technology Inc】MT47H32M16HR-25E L:G,IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84FBGA
【Micron Technology Inc】MT47H32M16HR-25E:G,IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84FBGA
【Micron Technology Inc】MT47H32M16HR-3:F,IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 84FBGA
