描述 | IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA | 存储器类型 | 易失 |
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存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - 移动 LPSDR |
存储容量 | 512Mb | 存储器组织 | 32M x 16 |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 133 MHz |
写周期时间 - 字,页 | 15ns | 访问时间 | 5.4 ns |
电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.95V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 54-VFBGA |
供应商器件封装 | 54-VFBGA(8x8) |
【Micron Technology Inc】MT48H32M16LFBF-6:B,IC SDRAM 512MBIT 166MHZ 54VFBGA
【Micron Technology Inc】MT48H32M16LFBF-6:B TR,IC SDRAM 512MBIT 166MHZ 54VFBGA
【Micron Technology Inc】MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR,IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54VBGA
【Micron Technology Inc】MT48H32M16LFBF-75:B TR,IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54VBGA
【Micron Technology Inc】MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR,IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54VBGA
【Micron Technology Inc】MT48H32M16LFCJ-75:A TR,IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54VBGA
【Micron Technology Inc】MT48H4M16LFB4-10,IC SDRAM 64MBIT 100MHZ 54VFBGA
【Micron Technology Inc】MT48H4M16LFB4-10 IT,IC SDRAM 64MBIT 100MHZ 54VFBGA