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MT49H64M9FM-25:B

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产品属性

描述	IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA	存储器类型	易失
存储器格式	DRAM	技术	DRAM
存储容量	576Mb	存储器组织	64M x 9
存储器接口	并联	时钟频率	400 MHz
写周期时间 - 字，页	-	访问时间	20 ns
电压 - 供电	1.7V ~ 1.9V	工作温度	0°C ~ 95°C（TC）
安装类型	表面贴装型	封装/外壳	144-TFBGA
供应商器件封装	144-μBGA（18.5x11）

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