| 描述 | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 80 毫欧 @ 15A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2190pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | MTB30P06VT4GOSMTB30P06VT4GOS-NDMTB30P06VT4GOSTR |
产品型号:mtb30p06vt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):67最大漏极电流id(on)(a):30通道极性:p沟道封装/温度(℃):3d2pak/-65~175描述:30a,60v,d2pak,p沟道功率mosfet价格/1片(套):￥11.80 来源:xiangxueqin ...
