| 描述 | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 25 毫欧 @ 25A，5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 100nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | MTB50P03HDLT4GOSMTB50P03HDLT4GOS-NDMTB50P03HDLT4GOSTR |
产品型号:mtb50p03hdlt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):25最大漏极电流id(on)(a):50通道极性:p沟道封装/温度(℃):3d2pak/-65~175描述:50a,30v,d2pak,p沟道功率mosfet价格/1片(套):￥20.50 来源:xiangxueqin ...
