| 描述 | MOSFET P-CH 100V 6A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 660 毫欧 @ 3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 840pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.75W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | MTD6P10EOS |
【Marktech Optoelectronics】MTD8000N4-T,PHOTOTRANS 880NM DOME CLR TO-18
【Marktech Optoelectronics】MTD8600N4-T,PHOTOTRANS 880NM DOME CLR TO-18
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【Marktech Optoelectronics】MTD8600T4-T,PHOTOTRANS 880NM FLAT CLR TO-18
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