描述 | IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 6 N-沟道(3 相桥) | FET 功能 | - |
漏源电压(Vdss) | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 255A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.3 毫欧 @ 100A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 275μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 155nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 14400pF @ 38V |
功率 - 最大值 | - | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | ISOPLUS-DIL? |
供应商器件封装 | ISOPLUS-DIL? |