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MTI85W100GC-SMD

产品属性

描述	IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS	技术	MOSFET（金属氧化物）
配置	6 N-沟道（3 相桥）	FET 功能	-
漏源电压（Vdss）	100V	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4 毫欧 @ 80A，10V	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 150μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）	88nC @ 10V	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
功率 - 最大值	-	工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型	封装/外壳	17-SMD，鸥翼
供应商器件封装	ISOPLUS-DIL?

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