| 描述 | MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 300 毫欧 @ 6A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 75W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | MTP12P10GOS |
产品型号:mtp12p10g源漏极间雪崩电压vbr(v):100源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):300最大漏极电流id(on)(a):12通道极性:p沟道封装/温度(℃):to-220ab/-65~150描述:12a,100v,to220,p沟道功率mosfet价格/1片(套):￥10.80 来源:xiangxueqin ...
