| 描述 | MOSFET P-CH 500V 2A TO-220AB | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 500V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6 欧姆 @ 1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1183pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 75W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | MTP2P50EOS |
驱动器在很多应用系统中适合于驱动电极。难点在于将普通运算放大器的输出提高到很高的电压。现有的交流高压放大器模块只能将输出放大到大约1200v p-p 以内。本设计实例提出的一种简化交流高压放大器使用了互补的级联nmos和pmos晶体管（图1）。op07运算放大器的输入失调电压低，输入偏置电流小，开环增益高。这些特性使这种运算放大器非常适合用于高增益仪器系统。此外，op07的失调和增益具有极好时间稳定性和温度稳定性。lm356级的交流增益取决于r3、r4、r7和r9，大约为100。 mtp2p50e型高压 p沟道mosfet的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为500v。buk456800b型 高压n沟道mosfet的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为800v。q1～q6都是pmos晶体管，q7～q12均为nmos晶体管。这些场效应管非常适合用于高压级联电路。它们对称地串联连接起来，以提高它们适用于电源系统的总击穿电压。偏压电路由成对独立的偏置电阻器r10～r13和r14～r17组成，从而形成了高压放大器的对称输出。图2示出了峰－峰电压为8v p-p、频率为1 ...
