| 描述 | MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 25 毫欧 @ 25A，5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 100nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | MTP50P03HDLGOS |
产品型号:mtp50p03hdlg源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):25最大漏极电流id(on)(a):50通道极性:p沟道封装/温度(℃):to-220ab/-55~150描述:小信号p沟道to-220ab封装场效应管价格/1片(套):￥18.90 来源:xiangxueqin ...
