您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > mtsf3n03hdr2g
  • MTSF3N03HDR2G

MTSF3N03HDR2G

描述MOSFET NFET 30V 3A 40MO漏极连续电流3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)35 m Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体Micro-8封装Reel
下降时间19 ns, 11 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)2 S
最小工作温度- 55 C功率耗散1.79 W
上升时间19 ns, 11 ns工厂包装数量4000
典型关闭延迟时间32 ns, 29 ns

mtsf3n03hdr2g的相关型号: