| 描述 | MOSFET N-CH 200V 32A TO247 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 75 毫欧 @ 16A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 180W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商设备封装 | TO-247 |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | MTW32N20EGOS |
产品型号:mtw32n20eg源漏极间雪崩电压vbr(v):200源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):75最大漏极电流id(on)(a):32通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-247/-55~150描述:小信号n沟道to-247封装场效应管价格/1片(套):￥48.50 来源:xiangxueqin ...
