| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 50A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 378nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 10640pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA | 供应商设备封装 | TO-264 |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | MTY100N10EOS |
整流二极管工作，可以很大限度地降低整流损耗，即通过检测流过自身的电流来获得mosfet驱动信号，vt在流过正向电流时导通。而当流过自身的电流为零时关断，使反相电流不能流过vt,故mosfet与整流二极管一样只能单向导通。与电压型同步整流技术相比，电流驱动同步整流技术对不同的变换器拓扑结构适应性好。 选择同步整流管主要是考虑管子的通态电流要大，通态电阻小，反向耐压足够（应按24v时变压器次级变换反向电压计算），且寄生二极管反向恢复时间则要短。经对实际电路的分析计算，选用onsemi公司生产的mty100n10e的mosfet管，其耐压电压为100v,通态电流为100a,通态电阻为11m!,反向恢复时间为145ns,开通延迟时间和关断延迟时间分别为48ns和186ns,能满足系统工作要求。 3 降耗及降电磁污染的设计要点 3.1降耗措施 （1）利用tda4863芯片优越性能。 tda4863的性能特点是：当输入电压较高时，片内apfc电路从电网中吸取较多的功率；反之，当输入电压较低时则吸收较少的功率，这就抑制产生的谐波电流，使功率因数接近于1;片内还包含有源滤波电路，能滤除因输出 ...
