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  • MUN2114T1

MUN2114T1

描述Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT PNP典型电阻器比率0.21
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SC-59-3
集电极—发射极最大电压 VCEO50 V集电极连续电流0.1 A
峰值直流集电极电流100 mA功率耗散230 mW
最大工作温度+ 150 C封装Reel
最小工作温度- 55 C工厂包装数量3000

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