您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > mun2132t3g
  • MUN2132T3G

MUN2132T3G

描述Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT PNP典型电阻器比率1
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SC-59-3
集电极—发射极最大电压 VCEO50 V集电极连续电流0.1 A
峰值直流集电极电流100 mA功率耗散230 mW
最大工作温度+ 150 C封装Reel
最小工作温度- 55 C工厂包装数量3000

mun2132t3g的相关型号: