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  • MUN5216DW1T1G

MUN5216DW1T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.04738
  • 6000$0.0412
  • 15000$0.03502
  • 30000$0.03296
  • 75000$0.0309
描述TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)160 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 1mA,10mA电流 - 集电极截止(最大)500nA
频率 - 转换-功率 - 最大250mW
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363包装带卷 (TR)
其它名称MUN5216DW1T1G-NDMUN5216DW1T1GOSTR

“MUN5216DW1T1G”技术资料

  • MUN5216DW1T1G的技术参数

    产品型号:mun5216dw1t1g类型:pnp/npn集电极-发射极电压(v):50集电极电流(max)(ma):100直流电流增益(min)(db):160r1(ω):4.7kr2(ω):-芯片上标识:-封装/温度(℃):sot-363/-55~150价格/1片(套):¥.40 来源:零八我的爱 ...

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