您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > mun5333dw1t1g
  • MUN5333DW1T1G

MUN5333DW1T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.04738
  • 6000$0.0412
  • 15000$0.03502
  • 30000$0.03296
  • 75000$0.0309
描述TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 1mA,10mA电流 - 集电极截止(最大)500nA
频率 - 转换-功率 - 最大250mW
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363包装带卷 (TR)
其它名称MUN5333DW1T1G-NDMUN5333DW1T1GOSTR

mun5333dw1t1g的相关型号: