| 描述 | TVS DIODE 5VWM 9.5VC POWERMITE 1 | 类型 | 齐纳 |
|---|---|---|---|
| 单向通道 | - | 双向通道 | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 5V | 电压 - 击穿（最小值） | 6V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 9.5V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) | 15.7A |
| 功率 - 峰值脉冲 | 1000W（1kW） | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 通用 | 不同频率时电容 | - |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-216AA | 供应商器件封装 | Powermite 1（DO216-AA） |
【GeneSiC Semiconductor】MUR10005CT,整流器 SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
【GeneSiC Semiconductor】MUR10005CTR,整流器 SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
【GeneSiC Semiconductor】MUR10010CT,整流器 SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
【GeneSiC Semiconductor】MUR10010CTR,整流器 SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
