描述 | DIODE GEN PURPOSE | 二极管配置 | 1 对共阴极 |
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技术 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 600 V |
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 4A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 2.8 V @ 4 A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 35 ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10 μA @ 600 V | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
【ON Semiconductor】MURHB840CTG,DIODE ULTRA FAST 400V 4A D2PAK
【ON Semiconductor】MURHB840CTT4G,DIODE ULTRA FAST 400V 4A D2PAK
【ON Semiconductor】MURHB860CTG,DIODE ULTRA FAST 600V 4A D2PAK
【ON Semiconductor】MURHB860CTT4,DIODE ULTRA FAST 4A 600V D2PAK
【ON Semiconductor】MURHB860CTT4G,DIODE ULTRA FAST 4A 600V D2PAK