| 描述 | DIODE GEN PURP 200V 3A SMC | 技术 | 标准 |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 200 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 3A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900 mV @ 3 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 35 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 μA @ 200 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | - | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC | 供应商器件封装 | SMC（DO-214AB） |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
电阻r2和电容c3必须额定用于125.5 v电压。 3）偏置电源 二极管d6对偏置绕组提供的电源整流。200 ma电流时额定电压为100 v的mmbd914二极管是d6的适宜选择。初级偏置由电容c4、电阻r3和电容c5来滤波。选择的c5为2.2 μf，c4为0.1 μf，r3为1.5 kω。 4）输出整流器 输出整流器必须承受远高于630 ma平均输出电流的峰值电流。最大输出电压为22 v，整流器峰值电压为93.2 v。所选择的输出整流器是3 a、200 v、35 ns的murs320，提供低正向压降及快开关时间。2,000 μf的电容将输出纹波电流限制在25%，或是峰-峰值144 ma。 5）电流控制 通过监测与输出串联的感测电阻rsense的压降，维持恒定的电流输出。电阻r11连接感测电阻至通用pnp晶体管q1的基极-射极结。当感测电阻上的压降约为0.6 v时，流过r11的电流偏置q1，使其导通。q1决定了流过光耦合器u2的led的电流，并受电阻r4限制。光耦合器u2的晶体管为ncp1014提供反馈电流，控制着输出电流。 设定输出电流iout=630 m ...
的是，该电阻和电容c3的额定电压是125.5 v。 3)偏置电源 二极管d6对偏置绕组提供的电源整流。200 ma电流时额定电压为100 v的mmbd914二极管是d6的适宜选择。初级偏置由电容c4、电阻r3和电容c5来滤波。选择的c5为2.2 ?f，c4为0.1 ?f，r3为1.5 kω。 4)输出整流器 输出整流器必须承受远高于630 ma平均输出电流的峰值电流。最大输出电压为22 v，整流器峰值电压为93.2 v。所选择的输出整流器是3 a、200 v、35 ns的murs320，提供低正向压降及快开关时间。2,000 ?f的电容将输出纹波电流限制在25%，或是峰-峰值144 ma。 5)电流控制 通过监测与输出串联的感测电阻rsense的压降，维持恒定的电流输出。电阻r11连接感测电阻至通用pnp晶体管q1的基极-射极结。当感测电阻上的压降约为0.6 v时，流过r11的电流偏置q1，使其导通。q1决定了流过光耦合器u2的led的电流，并受电阻r4限制。光耦合器u2的晶体管为ncp1014提供反馈电流，控制着输出电流。 设定输出电流iout=630 m ...
