| 描述 | DIODE FERD 600V 8A DPAK | 技术 | FERD（场效应整流器二极管） |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 600 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 8A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 3.6 V @ 8 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 40 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10 μA @ 600 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | 40pF @ 4V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 供应商器件封装 | DPAK（TO-252） |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
【GeneSiC Semiconductor】MURT10005,整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A 50P/35R
【GeneSiC Semiconductor】MURT10005R,整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A 50P/35R
【GeneSiC Semiconductor】MURT10010,整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A100P/71R
【GeneSiC Semiconductor】MURT10010R,整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A100P/71R
【GeneSiC Semiconductor】MURT10020,整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
【GeneSiC Semiconductor】MURT10020R,整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
【GeneSiC Semiconductor】MURT10040,整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R