描述 | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | 二极管配置 | 1 对共阳极 |
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技术 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 600 V |
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 200A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7 V @ 200 A |
速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | - |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 25 μA @ 600 V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 三塔 |
供应商器件封装 | 三塔 |
【GeneSiC Semiconductor】MURTA50020,整流器 SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35R
【GeneSiC Semiconductor】MURTA50020R,整流器 SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35R
【GeneSiC Semiconductor】MURTA50040,整流器 SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71R
【GeneSiC Semiconductor】MURTA50040R,整流器 SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71R
【GeneSiC Semiconductor】MURTA50060,整流器 SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141R
【GeneSiC Semiconductor】MURTA50060R,整流器 SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141R