| 描述 | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 533MHZ | 存储器类型 | 非易失性，易失性 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | FLASH，RAM | 技术 | FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2 |
| 存储容量 | 4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2） | 存储器组织 | 512M x 8（NAND），64M x 32（LPDDR2） |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 533 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 320μs | 访问时间 | 25 ns |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.95V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | - |
| 供应商器件封装 | - |
