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NAND01GW3A2BE06

描述闪存 Known GD Die 1Gbit结构Sectored
接口类型ParallelSupply Voltage - Max3.6 V
Supply Voltage - Min2.7 V最大工作电流20 mA
工作温度+ 85 C封装Tube
组织16 KB x 8192

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