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  • NAND01GW3B2BZA6E

NAND01GW3B2BZA6E

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述IC FLASH 1GBIT 63VFBGA存储器类型闪存 - NAND
存储容量1G(128M x 8)速度-
接口并联电源电压2.7 V ~ 3.6 V
工作温度-40°C ~ 85°C封装/外壳63-TFBGA
供应商设备封装63-VFBGA(9x11)包装托盘

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