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  • NAND08GW3B2AN6E

NAND08GW3B2AN6E

描述闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v结构Sectored
接口类型ParallelSupply Voltage - Max3.6 V
Supply Voltage - Min2.7 V最大工作电流30 mA
工作温度+ 85 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSOP封装Tray
组织128 KB x 8192工厂包装数量576

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