NB4N11MDTR2G

型为1 皮秒(ps)。其特点为创新开路集电极cml输出，可以在混合电压电平集成电路（1.8 v、2.5 v和 3.3 v）之间实现高速接口。此开路集电极输出结构使运行在与目标集成电路电压不同的信号源可与之进行通信。因为现场可编程门阵列（fpga）和专用集成电路（asic）向更低运行电压发展，该器件替代方案通常使用分立元件进行电平移动，由此增加传播延迟、消耗板空间并增加成本。nb4n11m 无需转换或电平移动。器件以3.3 v 的vcc进行运行，采用无铅3 mm x 3 mm tssop-8封装。nb4n11mdtr2g每2,500件的批量单价为4.13美元。 nb4n11s为配有lvds输出的1:2时钟分配芯片，接受差动lvpecl、lvcmos、lvttl、cml或lvds输入。其推出拓展安森美半导体行业领先的高性能lvds接口器件系列。lvds是fpga和asic的常见信号接口的廉宜价差动选择。但传统的以cmos为基础的lvds器件欠缺提供低抖动、严格定时信号所需的速度和精确性。将安森美半导体前沿的双极性功能与lvds的兼容输出结构相结合，这些lvds器件可更好地兼容主流集成电路而不牺牲性能。该器件 ...

5ghz，而且抖动典型为1皮秒(ps)。其特点为创新开路集电极cml输出，可以在混合电压电平集成电路（1.8v、2.5v和3.3v）之间实现高速接口。此开路集电极输出结构使运行在与目标集成电路电压不同的信号源可与之进行通信。因为现场可编程门阵列（fpga）和专用集成电路（asic）向更低运行电压发展，该器件替代方案通常使用分立元件进行电平移动，由此增加传播延迟、消耗板空间并增加成本。nb4n11m无需转换或电平移动。器件以3.3v的vcc进行运行，采用无铅3mm x 3mm tssop-8封装。nb4n11mdtr2g每2,500件的批量单价为4.13美元。 nb4n11s为配有lvds输出的1:2时钟分配芯片，接受差动lvpecl、lvcmos、lvttl、cml或lvds输入。其推出拓展安森美半导体行业领先的高性能lvds接口器件系列。lvds是fpga和asic的常见信号接口的廉宜价差动选择。但传统的以cmos为基础的lvds器件欠缺提供低抖动、严格定时信号所需的速度和精确性。将安森美半导体前沿的双极性功能与lvds的兼容输出结构相结合，这些lvds器件可更好地兼容主流集成电路而不牺牲性能。该器件的最 ...

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5 ghz，而且抖动典型为1 皮秒(ps)。其特点为创新开路集电极cml输出，可以在混合电压电平集成电路(1.8v、2.5v和3.3v)之间实现高速接口。此开路集电极输出结构使运行在与目标集成电路电压不同的信号源可与之进行通信。因为现场可编程门阵列(fpga)和专用集成电路(asic)向更低运行电压发展，该器件替代方案通常使用分立元件进行电平移动，由此增加传播延迟、消耗板空间并增加成本。nb4n11m无需转换或电平移动。器件以3.3v的vcc进行运行，采用无铅3mm×3mm tssop-8封装。nb4n11mdtr2g每2,500件的批量单价为4.13美元。 nb4n11s为配有lvds输出的1:2时钟分配芯片，接受差动lvpecl、lvcmos、lvttl、cml或lvds输入。其推出拓展安森美半导体行业领先的高性能lvds接口器件系列。lvds是fpga和asic的常见信号接口的廉宜价差动选择。但传统的以cmos为基础的lvds器件欠缺提供低抖动、严格定时信号所需的速度和精确性。将安森美半导体前沿的双极性功能与lvds的兼容输出结构相结合，这些lvds器件可更好地兼容主流集成电路而不牺牲性能。该器 ...

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