描述 | ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE | 技术 | 容性耦合 |
---|---|---|---|
通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 2500Vrms |
共模瞬变抗扰度(最小值) | 100kV/μs | 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) | 90ns,90ns |
脉宽失真(最大) | 25ns | 上升/下降时间(典型值) | 10ns,15ns |
电流 - 输出高、低 | 7A,7A | 电流 - 峰值输出 | 7A |
电压 - 正向 (Vf)(典型值) | - | 电流 - DC 正向 (If)(最大值) | - |
电压 -?输出供电 | 3.3V ~ 20V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC | 认证机构 | VDE |