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  • NCP5181DR2G

NCP5181DR2G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$1.18125
  • 5000$1.1375
  • 12500$1.09375
  • 25000$1.07625
  • 62500$1.05
描述IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC输入类型非反相
延迟时间100ns电流 - 峰1.4A
配置数1输出数2
高端电压 - 最大(自引导启动)600V电源电压10 V ~ 20 V
工作温度-40°C ~ 125°C安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)其它名称NCP5181DR2G-NDNCP5181DR2GOSTR

“NCP5181DR2G”技术资料

  • NCP5181DR2G的技术参数

    产品型号:ncp5181dr2g工作电压最小值(v):10工作电压最大值(v):20输出通道:2驱动器配置:反相输出峰值电流(a):2.200上升时间(ns):100下降时间(ns):100封装/温度(℃):8soic/-55~150描述:高电压mosfet驱动器价格/1片(套):¥12.00 来源:xiangxueqin ...

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