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  • NCP5381MNR2G

NCP5381MNR2G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述IC CTLR BUCK 2/3/4PHASE 40-QFN输入电压10.8 V ~ 13.2 V
输出数4输出电压-
工作温度0°C ~ 70°C安装类型表面贴装
封装/外壳40-VFQFN 裸露焊盘供应商设备封装40-QFN(7x7)
包装带卷 (TR)

“NCP5381MNR2G”电子资讯

  • 安森美用于VR11电源管理的双缘控制器

    方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器,用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分,包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小,而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。现备样品供索,计划于2006年第一季度投入生产。更多信息,请发送邮件至michael.stapleton@onsemi.com或致电1-602-244-5027与mike stapleton联系。 ncp5381拓展了安森美半导体现有计算应用中的ddr控制器、通用控制器、mosfet和分立产品的产品系列。如欲了解更多有关安森美半导体器件的信息. ...

“NCP5381MNR2G”技术资料

  • NCP5381双缘控制器荣获《今日电子》“Top 10 DC-DC 2006”奖项

    系统的工作频率更低,而且与现有调制方法相比,保持电容更少、更小。其结果是得到更加紧凑的解决方法,需要更少外部元件,因此比现有解决方法的性价比更高。 ncp5381的特性包括: ? ● 双缘pwm对瞬变负载快速初始响应 ? ● 正在申请专利的动态参考注入 ? ● +0.5%系统电压精确度 ? ● 符合vr11的远程温度检测 ? ● 与vr10逆向兼容 ? ●“无损”差动电感电流检测 ncp5381拓展了安森美半导体现有计算应用中的ddr控制器、通用控制器、mosfet和分立产品的产品系列。ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装,每500片的批量单价为1.2美元。 来源:零八我的爱 ...

  • 安森美用于VR11电源管理的双缘控制器

    控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器,用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分,包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小,而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。现备样品供索,计划于2006年第一季度投入生产。更多信息,请发送邮件至michael.stapleton@onsemi.com或致电1-602-244-5027与mike stapleton联系。 ncp5381拓展了安森美半导体现有计算应用中的ddr控制器、通用控制器、mosfet和分立产品的产品系列。如欲了解更多有关安森美半导体器件的信息,请访问www.onsemi.com.cn。 来源:零八我的爱 ...

  • 安森美半导体推出业内首个用于VR11电源管理的双缘控制器

    4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器,用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分,包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小,而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。 ncp5381拓展了安森美半导体现有计算应用中的ddr控制器、通用控制器、mosfet和分立产品的产品系列。 来源:小草 ...

ncp5381mnr2g的相关型号: