| 描述 | HIGH PERFORMANCE DUAL MOSFET GAT | Digi-Key Programmable | Not Verified |
|---|---|---|---|
| 驱动配置 | 高压侧和低压侧 | 通道类型 | 单路 |
| 驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 8.5V ~ 20V | 逻辑电压?- VIL，VIH | 0.8V，2.7V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 4A，4A | 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 200 V | 上升/下降时间（典型值） | 8ns，7ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 140°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 9-WDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | 9-WDFN（4x5） |
