描述 | ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE | Digi-Key Programmable | Not Verified |
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驱动配置 | 高压侧和低压侧 | 通道类型 | 单路 |
驱动器数 | 1 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 7V ~ 20V | 逻辑电压?- VIL,VIH | 0.75V,4.3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 7.8A,6.8A | 输入类型 | 反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | - | 上升/下降时间(典型值) | 9.2ns,7.9ns |
工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |