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  • NCV5707BDR2G

NCV5707BDR2G

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  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVEDigi-Key ProgrammableNot Verified
驱动配置高压侧和低压侧通道类型单路
驱动器数1栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电7V ~ 20V逻辑电压?- VIL,VIH0.75V,4.3V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)7.8A,6.8A输入类型反相
高压侧电压 - 最大值(自举)-上升/下降时间(典型值)9.2ns,7.9ns
工作温度-40°C ~ 125°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装8-SOIC

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