| 描述 | ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT/MOSFE | 技术 | 容性耦合 |
|---|---|---|---|
| 通道数 | 2 | 电压 - 隔离 | 5000Vrms |
| 共模瞬变抗扰度（最小值） | 100kV/μs | 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值） | 80ns，80ns |
| 脉宽失真（最大） | 10ns | 上升/下降时间（典型值） | 12ns，10ns |
| 电流 - 输出高、低 | 6.5A，6.5A | 电流 - 峰值输出 | 6.5A |
| 电压 - 正向 (Vf)（典型值） | - | 电流 - DC 正向 (If)（最大值） | - |
| 电压 -?输出供电 | 32V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC | 认证机构 | VDE |
