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NDB6030L

描述MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0135 Ohms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-263AB
封装Reel下降时间108 ns
最小工作温度- 65 C功率耗散75 W
上升时间130 ns典型关闭延迟时间45 ns

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