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  • NDBA180N10BT4H

NDBA180N10BT4H

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  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 180A D2PAKFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)180A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.8 毫欧 @ 50A,15V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)95 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6950 pF @ 50 VFET 功能-
功率耗散(最大值)200W(Tc)工作温度175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D2PAK(TO-263)
封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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