| 描述 | MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 1 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Dual | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SSOT-6 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 8 ns at N Channel, 10 ns at P Channel |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 0.96 W |
| 上升时间 | 8 ns at N Channel, 10 ns at P Channel | 典型关闭延迟时间 | 14 ns at N Channel, 8 ns at P Channel |
