| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2 欧姆 @ 2A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 50?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 29nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 83W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 供应商设备封装 | I-Pak |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | NDD04N60Z-1G-NDNDD04N60Z-1GOS |
的推出是安森美半导体不断加强其业界领先高能效电源方案供应商地位的又一实例。” 新推出的600 v mosfet器件包括： -ndd02n60z-1g，采用ipak封装，每10,000片批量的单价为0.22美元 -ndd02n60zt4g，采用dpak封装，每10,000片批量的单价为0.22美元 -ndd03n60z-1g，采用ipak封装，每10,000片批量的单价为0.23美元 -ndd03n60zt4g，采用dpak封装，每10,000片批量的单价为0.23美元 -ndd04n60z-1g，采用ipak封装，每10,000片批量的单价为0.27美元 -ndd04n60zt4g，采用dpak封装，每10,000片批量的单价为0.27美元 -ndf04n60zg，采用to-220fp封装，每10,000片批量的单价为0.27美元 -ndf06n60zg，采用to-220fp封装，每10,000片批量的单价为0.36美元 -ndf10n60zg，采用to-220fp封装，每10,000片批量的单价为0.42美元 新推出的500 v mosfet器件包括： -ndd0 ...
