| 描述 | MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode | 漏极连续电流 | + 3.8 A, - 2.7 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.029 Ohms | 配置 | Dual Dual Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SSOT-8 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 0.8 W | 上升时间 | 22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel |
| 工厂包装数量 | 3000 | 典型关闭延迟时间 | 48 ns at N Channel, 78 ns at P Channel |
