| 描述 | MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.025 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220AB |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 77 ns |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 100 W |
| 上升时间 | 145 ns | 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDP6060L,MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】NDP7050,MOSFET N-CH 50V 75A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】NDP7050_Q,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDP7050L,MOSFET N-CH 50V 75A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】NDP7050L_Q,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDP7060,MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
