您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > nds0605_q

NDS0605_Q

描述MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode电阻汲极/源极 RDS(导通)5 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-23
封装Reel下降时间6.3 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散0.36 W
上升时间6.3 ns典型关闭延迟时间10 ns

nds0605_q的相关型号: