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NDS356AP_L99Z

描述MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode漏极连续电流1.1 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.3 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-23封装Reel
下降时间17 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散0.5 W上升时间17 ns
工厂包装数量3000典型关闭延迟时间53 ns

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