| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 15 毫欧 @ 10A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1350pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NDS8410TR |
／dc变换器提高效率的瓶颈。 同步整流是采用通态电阻极低的专用功率mosfet，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高dc／dc变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率mosfet属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率mosfet做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。 为满足高频、大容量同步整流电路的需要，近年来一些专用功率mosfet不断问世，典型产品有fairchild公司生产的nds8410型n沟道功率mosfet，其通态电阻为0.015ω。philips公司生产的si4800型功率mosfet是采用trenchmostm技术制成的，其通、断状态可用逻辑电平来控制，漏－源极通态电阻仅为0.0155ω。ir公司生产的irl3102（20v／61a）、irl2203s（30v／116a）、irl3803s（30v／100a）型功率mosfet，它们的通态电阻分别为0.013ω、0.007ω和0.006ω，在通过20a电流时的导通压降还不到0.3v。这些专用功率mosfet的输入阻抗高， ...
【Fairchild Semiconductor】NDS8410A,MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS8426A,MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS8434,MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS8434_Q,MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDS8434A,MOSFET P-CH 20V 7.8A 8-SOIC