| 描述 | MOSFET Single P-Ch MOSFET Power Trench | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.15 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 10 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 11 ns | 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDS9407_Q,MOSFET Single P-Ch MOSFET Power Trench
【Fairchild Semiconductor】NDS9410A,MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS9410A_D84Z,MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDS9410A_Q,MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDS9410S,MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDS9430,MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC