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  • NDS9959_Q

NDS9959_Q

描述MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode漏极连续电流+/- 2 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.3 Ohms配置Dual Dual Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
下降时间11 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散2 W上升时间8 ns
典型关闭延迟时间9 ns

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