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NDT456P_Q

描述MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE电阻汲极/源极 RDS(导通)0.026 Ohms
配置Single Dual Drain最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-223
封装Reel下降时间70 ns
最小工作温度- 65 C功率耗散3 W
上升时间65 ns典型关闭延迟时间70 ns

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