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NE25118-T1-U73

  • 制造商:-
  • 产品种类:射频GaAs晶体管
  • 技术类型:MESFET
  • 频率:0.9 GHz
  • 增益:20 dB
产品属性
描述射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET噪声系数1.1 dB
正向跨导 gFS(最大值/最小值)25 mS漏源电压 VDS13 V
闸/源击穿电压- 4.5 V漏极连续电流20 mA
最大工作温度+ 125 C功率耗散120 mW
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-343
封装Reel工厂包装数量3000

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