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NE334S01-T1

  • 制造商:-
  • 产品种类:射频GaAs晶体管
  • 技术类型:HEMT
  • 频率:4 GHz
  • 增益:16 dB
产品属性
描述射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET噪声系数0.25 dB
正向跨导 gFS(最大值/最小值)85 mS漏源电压 VDS4 V
闸/源击穿电压- 3 V漏极连续电流150 mA
最大工作温度+ 125 C功率耗散300 mW
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SO-1
封装Reel工厂包装数量1000

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