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  • NE3508M04-EVNF23

NE3508M04-EVNF23

  • 制造商:CEL(CEL,CEL)
  • 产品种类:射频GaAs晶体管
  • 技术类型:HEMT
  • 频率:2 GHz
  • 增益:14 dB
产品属性关于CEL(CEL,CEL)
描述射频GaAs晶体管 SPR LW Noise Pseudo HJ FET EVAL Fixt噪声系数0.45 dB
正向跨导 gFS(最大值/最小值)100 mS漏源电压 VDS4 V
闸/源击穿电压- 3 V漏极连续电流120 mA
最大工作温度+ 150 C功率耗散175 mW
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体FTSMM-4 (M04)
P1dB18 dBm封装Box

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