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NE3516S02-T1C-A

制造商：-
现有数量：0现货
价格：停产
系列：-
包装：卷带（TR）
产品状态：停产

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产品属性

描述	IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX	技术	GaAs HJ-FET
配置	N 通道	频率	12GHz
增益	14dB	电压 - 测试	2 V
额定电流（安培）	60mA	噪声系数	0.35dB
电流 - 测试	10 mA	功率 - 输出	165mW
电压 - 额定	4 V	安装类型	-
封装/外壳	4-SMD，扁平引线	供应商器件封装	S02

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